一个小时之后，鹿岛智树、曹飞他们参观返回办公大楼。一行人在听了余子贤有关光刻胶有可能断货情况的简要介绍之后，纷纷皱眉。
鹿岛智树也给大家简要介绍了一下有关光刻胶的情况。
光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成份组成的、对光敏感的混合液体。
利用光化学反应，经曝光、显影、刻蚀等工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，其中曝光是通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，从而使光刻胶的溶解度发生变化。
按照应用领域分类，光刻胶主要包括印制电路板（PCB）光刻胶专用化学品（光引发剂和树脂）、液晶显示器（LCD）光刻胶光引发剂、半导体光刻胶光引发剂和其他用途光刻胶四大类。
光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体核心材料，随后被改进运用到PCB板的制造，并于这几年开始运用到平板显示的加工制造。最终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。
光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中最核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完对应的几何图形。
光刻技术随着芯片集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率。
世界芯片工艺水平此时已跨入微纳米级别纳，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436n、i线（365n。目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括g线、i线两类光刻胶，而光刻胶核心技术基本被曰本和美国企业所垄断。
光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商最核心的技术。
听着鹿岛智树的介绍，余子贤也想到了此时国内半导体材料的发展情况。
国内半导体光刻胶起步很晚，就算是有一些厂家和院所生产的光刻胶，技术水平非常落后，只能应用于一些研究院所的小批量使用。
就算是在20年后，半导体材料生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能极少，仍需大量进口，从而导致国内光刻胶需求量远大于本土产量。